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Nexperia鍺化硅整流器兼具一流高效率、熱穩定性,節省空間

—— 符合AEC-Q101標準的120 V、150 V和200 V設備兼具肖特基和快速恢復二極管的最佳屬性
作者:時間:2020-05-27來源:EEPW收藏

奈梅亨,2020年5月27日:半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家推出了一系列反向電壓為120 V、150 V和200 V的新鍺化硅(SiGe)整流器,兼具肖特基整流器的高效率與快速恢復二極管的熱穩定性。

本文引用地址:http://www.ofia.com.cn/article/202005/413628.htm

新款1-3 A SiGe整流器以汽車、通信基礎設施和服務器市場為目標市場,尤其適合高溫應用,例如,LED照明、發動機控制單元或燃油噴射。這些新推出的極低泄漏器件提供擴展的安全工作區域,在不超過175 °C的條件下不會發生熱失控。同時,工程師也可以使用適用于高溫設計的快速恢復二極管,優化設計以實現更高效率。SiGe整流器增大低正向電壓(Vf)和低Qrr,使傳導損耗降低10-20%。

PMEG SiGe設備(PMEGxGxELR/P)采用功率二極管行業標準的節省空間、高熱效率的CFP3和CFP5封裝。封裝采用實心銅夾片,降低熱阻,優化熱傳輸至周圍環境,使PCB更小、更緊湊。此外,使用SiGe技術,能夠輕松實現肖特基和快速恢復二極管的引腳到引腳替換。

產品經理Jan Fischer評論道:“使用的創新型鍺化硅技術,讓工程師有更多選擇來設計電源電路,最終構建引領市場的產品,這是之前從未有過的。SiGe是Nexperia功率二極管產品的完美補充,該產品采用夾片粘合FlatPower (CFP)封裝,包括100多個肖特基整流器和快速恢復整流器。此外,我們還將繼續擴展產品組合,始終為客戶提供符合其應用的產品。”

第一批4款符合AEC-Q101標準的120V SiGe整流器目前已進入量產階段。更有8款150V和200V的產品現可提供樣片。



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